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美媒稱中國長鑫存儲在先進存儲芯片領域取得突破分享到：
      香港中通社9月1日電 中國最大動態隨機存取存儲器（DRAM）製造商長鑫存儲已正式啟動高帶寬存儲器HBM3E的風險試產。儘管目前生產規模有限，但這標誌著長鑫存儲在高端AI存儲領域邁出關鍵一步，並計劃於2027年進一步擴大產量。
據美國科技媒體The Information當地時間8月31日報道，HBM3E是當前AI芯片組的核心組件。據悉，阿里巴巴旗下平頭哥、寒武紀等中國主流AI芯片設計公司，正積極測試將長鑫存儲的HBM3E與自家處理器搭配使用。若測試進展順利，這些中國產AI芯片最早將於明年採用該款中國產存儲器，為中國產AI算力基礎設施構建自主供應鏈。 從技術規格來看，HBM3E主要為AI加速器和數據中心提供高帶寬與大容量支撐。按照JEDEC標準，其位寬為1024-bit，標準配置下總帶寬可達1.2TB/s。容量方面，可根據需求採用8層堆疊（24GB）或12層堆疊（36GB）。目前，英偉達H200及Blackwell系列GPU、AMD MI300系列均廣泛採用HBM3E，長鑫存儲的入局將有效緩解國內高端存儲的供需瓶頸。 在產能擴張方面，長鑫存儲展現出強勁的發展勢頭。預計到2026年末，其DRAM月產能將提升至30萬至35萬片晶圓。傳聞長鑫還將劃出每月約5萬片晶圓的產能，專門用於HBM產品的生產。展望未來五年，長鑫存儲計劃每年增加約10萬片晶圓月產能，目標在2031年將總月產能提升至約80萬片。 除HBM3E外，長鑫存儲在消費級存儲領域同樣取得突破，近日已正式量產LPDDR6內存，並由小米18 Fold新款折疊旗艦手機首發搭載。隨著長鑫存儲從風險試產穩步邁向大規模生產，中國產存儲芯片在技術迭代與產能規模上的雙重提升，正加速推動中國半導體產業的自主化進程。（完） 相關新聞
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