特稿：中國國產光刻機的“破局”與“隱憂” 香港中通社7月31日電 題：中國國產光刻機的“破局”與“隱憂”
香港中通社記者 王少喆 2026年7月下旬，一則國產浸沒式深紫外（DUV）光刻機開始交付的消息引爆全球半導體圈。據美國科技媒體 The Information 報道，中國一家企業已開始小規模量產首款國產浸沒式 DUV 光刻機，預計今年將交付 5 套系統給中芯國際、華虹半導體及長鑫科技等頭部晶圓廠。消息引發資本市場巨震，美東時間 7 月 27 日收盤，荷蘭巨頭 ASML 暴跌 5.8%，閃迪大跌超 11%，SK 海力士跌超 7%。 人工智能領域學者曹波指出，光刻是以高精度光線透過掩模版，將電路圖案轉移至晶圓光刻膠上的核心工藝。光刻機長期是中國半導體最大短板，缺乏自主設備使產業隨時面臨“卡脖子”風險。 要理解這次突破，曹波表示需先釐清 DUV 與 EUV 的技術區別。DUV（深紫外）採用 193nm 激光與透射式光路，浸沒式機型利用超純水壓縮光折射率以提升精度；EUV（極紫外）波長僅 13.5nm，須在真空下由皮米級鍍膜反射鏡聚焦，難度極高。制程上，DUV 原生支持 28nm，經多重曝光可延伸至更高精度，主打 7nm 及以上芯片；EUV 則原生覆蓋 7nm 以下尖端芯片。 曹波強調，兩者並非替代關係。全球 80% 以上的芯片需求集中在汽車、工控、家電及存儲等成熟制程（28nm 及以上），DUV 完全夠用。簡言之，DUV 是半導體產業的基本盤，EUV 則是制高點。此前 DUV 由 ASML 獨家壟斷，國產 DUV 量產不僅守住了市場基本盤，研發積累的精密光學與控制技術也為未來攻克 EUV 奠定了基礎。 至於“卡脖子”問題是否徹底解決，曹波認為需一分為二看待。 成熟制程領域的困境已極大緩解。國產 DUV 量產後，28nm 及以上設備實現自主可控，供應鏈安全獲得根本保障，晶圓廠擺脫了西方拒絕售後維修的被動局面。但從全產業鏈與高端制程來看，依然不能盲目樂觀。 首先是產能懸殊，ASML 在 2025 年交付了 131 台浸沒式 DUV，而國產設備今年規劃僅 5 台，預計 2027 年達 20 台，難以迅速填補國內巨大缺口。其次是性能差距，國產 DUV 水平相當於 ASML 10 至 15 年前的水平，在套刻精度、吞吐量及穩定性上仍存在 1 到 2 代差距，良品率需長期驗證。再者，國產 EUV 仍處於原型研發階段，高端芯片自主供應仍需攻堅。最後，半導體是涵蓋刻蝕、沉積、光刻膠及 EDA 等環節的系統工程，單點突破不等於全鏈條自給自足。 曹波總結，雖然國產 DUV 全球份額尚微，但自主替代預期已開始衝擊 ASML 的壟斷溢價與定價權。未來光刻設備採購成本將下降，推動全球芯片產能多極化發展。在全球博弈加劇的背景下，這一步突破不僅是對外部禁令的有力回應，更是中國半導體產業從“跟跑”走向“並跑”的必經之路。 （完） |
