中國存儲再突破：長鑫第五代DRAM平台量產 晶圓產出提升50%分享到：
      香港新聞網9月21日電 2026世界製造業大會20日在安徽合肥開幕。中國芯片製造商長鑫存儲在大會上宣布，其第五代DRAM（動態隨機存取存儲器）技術平台（簡稱“G5平台”）實現量產，晶圓產出較上一代提升至少50%，並同步展出了基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。
這是9月20日在世界製造業大會新一代信息技術和新能源展區拍攝的長鑫存儲展台。圖片來源：新華社 DRAM是一種半導體存儲器，廣泛應用於移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域。近年來，隨著人工智能產業和大數據的快速發展，全球對DRAM產品的性能、容量要求大幅提升。 據長鑫存儲介紹，G5平台在關鍵工藝維度實現了多項行業領先的技術突破。通過創新的四重曝光技術，內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的內存量產平台制程。另外，通過變革工藝流程、採用新材料，存儲電容深寬比達45:1；開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬栅（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762納米。 在G5微縮工藝突破背景下，存儲密度實現跨越式提升：跟第四代平台相比，每片晶圓產出裸片數量提升了至少50%，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。
長鑫存儲LPDDR5X產品已進入量產階段。圖片來源：長鑫存儲 與此同時，長鑫存儲還展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，可適配中高端智能手機、便攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入規模量產階段。 長鑫存儲LPDDR6研發同樣取得了新進展。據財聯社報道，今年8月，長鑫存儲自主研發的LPDDR6實現量產，首批搭載於小米18 Fold摺叠旗艦手機。這是全球LPDDR6產品首次落地商用，標誌著中國存儲企業首次在高端內存標準上，打破海外廠商長期壟斷產品先發的局面，實現全球首發量產。 第五代工藝技術平台實現量產，將有助於長鑫存儲進一步豐富產品矩陣、提升核心競爭力、鞏固市場地位。（完） 【編輯：石歡歡】
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