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日媒：中國大陸半導體技術 僅落後台積電3年分享到：
      香港中通社8月27日電 日本半導體調查企業分析指出，儘管良率上仍存在差距，但是中國大陸半導體的技術實力，目前已達到僅落後台積電3年的水平。
圖為展出的芯片軸 新華社資料圖 日經中文網報道，在比較台積電2021年為華為量產的5納米製程麒麟9000芯片，以及華為在今年4月上市的最新款智能手機Pura 70系列搭載的7納米麒麟9010芯片後，得出上述結論。二者的處理器性能已基本相同。 報道指出，美國政府對華為啟動的出口禁令已有5年，美方一直在採取遏制中國大陸半導體技術的措施，但是成效至今少有討論。雖然這兩款芯片在良率上存在差距，但從性能來看，中國大陸半導體的技術實力已追趕到只比台積電落後3年。負責華為芯片設計的海思半導體，其設計能力也有進一步提高。 華為Pura 70系列手機除了存儲芯片和傳感器之外，還搭載了支撐鏡頭、電源、顯示器功能的共37個半導體。其中，海思半導體承擔14個，其他中國大陸企業承擔18個，從中國大陸以外的芯片來看，只有韓國SK海力士的存取內存、德國博世的運動傳感器等5個。實際上，86%的半導體來自中國大陸。 分析華為最新款智能手機後，得出的結論是，到目前為止，美國政府的管制只是略微減慢了中國大陸的技術創新，但推動了中國大陸半導體產業的自主生產。 報道最後稱，雖然針對中國大陸的最尖端半導體製造設備出口管制仍然存在，但實際情況是，中國大陸不斷採購管制對象外的設備，穩步磨練生產技術。（完） 【編輯：彭玉婷】
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